Benötigte Daten:
Ib = Basisstrom (Strom zum Durchsteuern/in die Sättigung treiben des Transistors) Ube = Spannung Basis Emitter Diode (Spannung die über Basis-Emitter Diode abfällt meist 0,7V von Laststrom abhängig) Ic = Kollektorstrom (Laststrom durch den Kollektor = Strom durch angeschlossene Schaltlast) hfe = Verstärkungsfaktor (im Datenblatt unter hfe oder Verstärkungsfaktor - immer Minimalwert annehmen) Uce = Kollektor Emitter Spannung (Spannung des Laststromkreis = Spannung durch angeschlossene Schaltlast) Ust = Steuerspannung vom Steuerstromkreis in die Basis (Spannung zum Durchsteuern der Basis des Transistors)
Berechnung Basisstrom Ib
Ib = Ic / hfe(min) Sicherheit zur vollen Sättigung: Ib = Ib * 3
Berechnung Basiswiderstand Rb
Rb = Ust - Ube (0,7V) / Ib
Beispiel zur Berechnung des Basiswiderstands
Last: Power LED mit 350 mA und Vorwiderstand Transistor: NPN BC377-40 Daten: hfe = 250 Ic = 350mA Ulst = 12V Ust = 5V Ib = 350mA / 250 Ib = 1,4mA*3 Ib = 4,2mA Ib = 0,0042A Rb = 5V - 0,7V / 0,0042A Rb = 1024 Ohm Rb = 1,1k Ohm
Hinweis: zur Vermeidung von unerwünschtem Verhalten bei offener Basis (z.B. Reset uC) wird i.d.R. ein 100k Ohm Widerstand von Basis nach GND geschaltet