Transistor Basiswiderstand berechnen

Benötigte Daten:

Ib = Basisstrom (Strom zum Durchsteuern/in die Sättigung treiben des Transistors)
Ube = Spannung Basis Emitter Diode (Spannung die über Basis-Emitter Diode abfällt meist 0,7V von Laststrom abhängig)
Ic = Kollektorstrom (Laststrom durch den Kollektor = Strom durch angeschlossene Schaltlast)
hfe = Verstärkungsfaktor (im Datenblatt unter hfe oder Verstärkungsfaktor - immer Minimalwert annehmen)
Uce = Kollektor Emitter Spannung (Spannung des Laststromkreis = Spannung durch angeschlossene Schaltlast)
Ust = Steuerspannung vom Steuerstromkreis in die Basis (Spannung zum Durchsteuern der Basis des Transistors)

Berechnung Basisstrom Ib

Ib = Ic / hfe(min) 

Sicherheit zur vollen Sättigung:

Ib = Ib * 3

Berechnung Basiswiderstand Rb

Rb = Ust - Ube (0,7V) / Ib

Beispiel zur Berechnung des Basiswiderstands

Last: Power LED mit 350 mA und Vorwiderstand
Transistor: NPN BC377-40

Daten: 

hfe = 250
Ic = 350mA
Ulst = 12V
Ust = 5V

Ib = 350mA / 250
Ib = 1,4mA*3
Ib = 4,2mA
Ib = 0,0042A

Rb = 5V - 0,7V / 0,0042A
Rb = 1024 Ohm
Rb = 1,1k Ohm

Hinweis: zur Vermeidung von unerwünschtem Verhalten bei offener Basis (z.B. Reset uC) wird i.d.R. ein 100k Ohm Widerstand von Basis nach GND geschaltet